IPB50R199CP دیتاشیت

IPB50R199CP

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPB50R199CP
حجم فایل 62.359 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IPB50R199CP

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB50R199CP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 139W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 550V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1800pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 17A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@660uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 199mΩ@10V,9.9A
  • Package: TO-263-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه